三星开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存
热点事件持续更新
三星开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存
1 篇报道1 个报道来源6 小时前更新
先了解这件事
AI 综述
三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款面向 AI 负载优化的 NAND 闪存，加上此前已公布的 zNAND-O，该系列共三种型号。 据三星介绍，zNAND-T 的“T”代表吞吐量，通过 TSV 堆叠 NAND Die 优化读写带宽；zNAND-I 的“I”指 IOPS，面向 KV Cache 卸载等少量数据频繁读写的场景。
AI 根据报道生成 · 2 小时前更新
最新进展10月12日 13:54
三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- AIHOT 公开资讯三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款 AI 负载优化 NAND 闪存，与此前公布的 zNAND-O 共三种型号。zNAND-T 的 "T" 代表吞吐量，采用 TSV 堆叠 NAND Die 优化读写带宽；zNAND-I 的 "I" 指 IOPS，面向 KV Cache 卸载等少量数据频繁读写场景。
本事件热度走势
还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。